نمایش نوار کناری
نمایش 9 12 18 24

MOSFET TO252 N-Channel TP50N06K-Topdiode

تماس بگیرید
  • ویژگی‌های عمومی
  • VDS =60V,ID =50A
  • RDS(ON) <20mΩ @ VGS=10V (نوع: 13mΩ)
  • طراحی سلول با چگالی بالا برای Rdson بسیار پایین
  • ولتاژ و جریان بهمنی کاملاً مشخص
  • پایداری و یکنواختی خوب با EAS بالا
  • بسته‌بندی عالی برای اتلاف حرارت خوب
  • فناوری فرآیند ویژه برای قابلیت ESD بالا

MOSFET TPC65R190FM Super-junction Power Mosfet Topdiode

تماس بگیرید
  • 650 ولت، 20 آمپر
  • RDS(روشن)<190mΩ @VGS=10V
  • RDS(روشن)×QG کم FOM
  • EMI بهتر
  • 100% تست شده UIS و ایزولاسیون
  • مطابق با RoHs
  • بدون هالوژن