MOSFET TPC65R041WMF Super-junction Power Mosfet Topdiode

تماس بگیرید

  • 650 ولت، 66 آمپر
  • RDS(ON)<41mΩ @ VGS=10V
  • دیود بدنه فوق سریع
  • قابلیت اطمینان خوب
  • سرعت سوئیچینگ سریع
  • تلفات بسیار کم به دلیل Eon و Eoff بسیار بالا
  • واجد شرایط برای کاربردهای صنعتی طبق JEDEC
  • مطابق با Ro
توضیحات

MOSFET TPC65R041WMF Super-junction Power Mosfet Topdiode DATA

حداکثر مقادیر مطلق (Ta=25℃ مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد)
پارامتر نماد ارزش واحد
ولتاژ درین-سورس VDS 650 V
ولتاژ گیت-سورس VGS ±30 V
جریان درین پیوسته (TC = 25°C) ID 66 A
جریان درین پیوسته (Tc=100°C) ID 42 A
جریان تخلیه پالسی (1) IDM 198 A
انرژی بهمن تک پالسی(2) EAS 2185 mJ
اتلاف توان PD 416 W
مقاومت حرارتی – اتصال به محیط (3) RθJA 32 °C/W
مقاومت حرارتی از محل اتصال تا بدنه (3) RθJC 0.3 °C/W
دمای اتصال TJ 150 °C
دمای نگهداری TSTG -55~ +150 °C
تحویل محصول
تحویل محصولات سه ماهه