MOSFET SOT-23 P-Channel TAP2305-Topdiode
تماس بگیرید
MOSFET SOT-23 N-Channel BSS138-Topdiode
تماس بگیرید
MOSFET SOT-23 N-Channel BSS123 Topdiode
تماس بگیرید
-
MOSFET SOT-23 P-Channel TAP2305-Topdiode
- VDS = -20V، ID = -4.1A
- RDS(ON)<75mQ @ VGS=-2.5V
- RDS(ON)<42mQ @ VGS=-4.5V
- قابلیت مدیریت توان و جریان بالا
- محصول بدون سرب به دست آمده است
- بسته نصب سطحی
دسته: Si MOSFET
توضیحات
MOSFET SOT-23 N-Channel BSS123 Topdiode
Topdiode BSS123 is a N-Channel enhancement mode MOSFET, using a proprietary, high cell density, DMOS technology.
This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance.
It’s particularly suited for low voltage, low current applications such as small motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Topdiode BSS123 is a nice alternative offer to Diodes/ROHM/NXP BSS123.
MOSFET SOT-23 N-Channel BSS123 Topdiode DATA
| پارامتر | نماد | ارزش | واحد |
| N-MOSFET | |||
| ولتاژ درین-سورس | VDS | 100 | V |
| ولتاژ گیت-سورس | VGS | ±20 | V |
| جریان تخلیه مداوم (نکته ۱) | ID | 0.17 | A |
| جریان تخلیه پالسی (tp=10us) | IDM | 0.68 | A |
| جریان دیود سورس-درین پیوسته | IS | 0.17 | A |
| Power Dissipation | PD | 0.35 | W |
| Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 1) | RθJA | 357 | ℃W |
| Junction Temperature | TJ | 150 | ℃ |
| Storage Temperature | TSTG | -55~+150 | ℃ |
| Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8″from case for 10 s) | TL | 260 | ℃ |
تحویل محصول
تحویل محصولات سه ماهه
